مدونة

مع التقدم التكنولوجي السريع، تتطلب صناعة الإلكترونيات الاستهلاكية معايير أداء أعلى بشكل متزايد. على وجه الخصوص، أصبحت الحشيات المرنة الموصلة التقليدية SMT غير كافية لتطبيقات محددة في التدريع الكهرومغناطيسي والاتصال الموصل. ومن خلال الاستفادة من القدرات البحثية العميقة للمواد، نجحت شركة Konlida في تطوير رغوة موصلة منخفضة الضغط وعالية المرونة، مما يوفر حلاً ثوريًا لصناعة الإلكترونيات الاستهلاكية.

الرغوة الموصلة التقليدية عبارة عن تنضيد من قطعة واحدة، ومتطلبات موضع التخطيط ليست عالية.

هذه عبارة عن رقعة من رغوة السيليكون الموصلة التي يمكن توصيلها بثنائي الفينيل متعدد الكلور باستخدام عملية SMT. إنه يتمتع بموصلية كهربائية جيدة ومرونة ممتازة بعد اللحام بإعادة التدفق ويمكن استخدامه كأرضية حماية EMI أو كبديل لشظايا الهوائي الميكانيكي. في نفس الوقت، عندما تتعرض الآلة بأكملها لقوة تأثير خارجية، فإن المنتج لديه وظيفة تخزين مؤقت لتجنب تلف المكونات الأخرى بواسطة قوة التأثير.

تم تصميم التدريع الكهرومغناطيسي لمنع تداخل قوة مجال الجهد العالي على المكونات. المبدأ هو استخدام التدريع لتقليل السعة الموزعة بين مصدر التداخل والقاعدة، وبالتالي تقليل تأثير التداخل.

تستخدم اتصالات 5G الموجات الكهرومغناطيسية في نطاقي تردد: FR1 وFR2. يتراوح تردد FR1 من 450 ميجا هرتز إلى 6 جيجا هرتز، بينما يتراوح تردد FR2 من 24.25 جيجا هرتز إلى 52.6 جيجا هرتز، ويندرج تحت فئة الموجات المليمترية. تتحلل الموجات الكهرومغناطيسية في نطاق FR2 بسرعة في الهواء، مما يستلزم شبكات فائقة الكثافة لتغطية مستمرة. وستشمل عمليات النشر المستقبلية محطات قاعدة صغيرة ومتناهية الصغر في المناطق المزدحمة.

يعد التدريع الكهرومغناطيسي ضروريًا لمنع التداخل الناتج عن شدة المجال الكهربائي العالية على المكونات. يتضمن مبدأ تصميم التدريع الكهرومغناطيسي استخدام درع لتقليل السعة الموزعة بين مصدر التداخل والقاعدة، وبالتالي تقليل تأثير مصدر التداخل على القاعدة.