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導電矽橡膠的隱性腐蝕:微尺度電化學如何破壞EMI可靠性

在高溫高濕環境下運作的通訊基地台、新能源車等場合,即使是先進的導電矽橡膠(也稱為電導橡膠導電泡棉橡膠),在使用18~24個月後,也會出現EMI性能突然下降的情況。

故障分析通常會發現金屬表面出現白色絮狀氧化物,導電織物邊緣變黑,以及接觸電阻急劇增加。令人驚訝的是,問題並非材料老化本身,而是微尺度電化學腐蝕──一個隱藏卻至關重要的可靠性威脅。

本文探討了微冷凝、異種金屬接觸和直流偏壓如何在導電橡膠界面處形成局部原電池,從而導致離子遷移、氧化物沉積以及最終的 EMI 屏蔽失效。

SMT墊片精密貼裝技術:回流焊接相容性與微應力控制本文首先關注機械可靠性,然後轉向電化學維度:當水、電和金屬相遇時,EMI 可靠性的真正考驗就開始了。


電化學腐蝕的“三元素模型”

只有當這三種條件同時存在時才會發生腐蝕:

  • 電解質存在:凝結的水分形成薄液膜(RH > 60%)。

  • 不同金屬:鎳銅導電織物與鋁外殼接觸會產生電位差(ΔV > 150mV)。

  • 直流偏壓路徑:接地差異會產生導致腐蝕的微電流。

此時,介面的行為就像一個微型原電池:

  • 陽極(鋁外殼): Al → Al³⁺ + 3e⁻(氧化,形成白色Al(OH)₃)。

  • 陰極(鎳銅層): O₂ + 2H₂O + 4e⁻ → 4OH⁻(鹼性環境加速銅腐蝕)。

導電矽橡膠的電化學腐蝕機制:凝聚、異種金屬和直流偏壓驅動離子遷移、氧化物沉積和接觸電阻上升。


腐蝕途徑:從點蝕到屏蔽失效

  1. 微孔滲透-水分透過導電織物滲透到泡棉的金屬塗層中。

  2. 離子遷移-Cu²⁺ 和 Ni²⁺ 離子在偏壓下遷移,形成導電絲或絕緣氧化物。

  3. 接觸性能下降-氧化物在界面處積聚,增加電阻並降低 EMI 屏蔽。

案例研究:在一次汽車 T-Box 測試中,接觸電阻在暴露於濕熱後從 0.2Ω 上升到 8.7Ω,屏蔽效能 在 300MHz–1GHz 頻段下降了 20dB。


工程對策:從導電到電化學隔離

  1. 材料級解決方案

    • 鍍銀(降低氧化傾向)取代鎳銅塗層。

    • 在導電織物和泡棉之間添加奈米氧化物擴散屏障。

  2. 結構設計策略

    • 等電位接地:透過對齊外殼和 PCB 接地來消除直流偏壓。

    • 疏水密封:在接縫處塗上防水塗層,阻止薄膜形成。

  3. 環境保護

    • 密封等級從 IP54 升級至 IP67,以防止濕氣侵入。

    • 添加內部乾燥劑以吸收殘留濕氣。

導電矽橡膠的可靠度風險:電化學失效機制及對策


腐蝕風險檢測與預警

  • 電化學阻抗譜(EIS):檢測低頻下的界面電阻變化。

  • 微 X 射線衍射 (μ-XRD):辨識腐蝕產物,例如 Cu₂O 或 Al(OH)₃。

  • 加速直流偏壓濕熱測試(85℃/85%RH + 5V):模擬長期降解。


EMI 故障:偽裝的電化學事故

導電矽橡膠的失效通常不是由於材料缺陷,而是由於忽略了系統層面的電化學交互作用。

康麗達正在與客戶合作開發介面腐蝕風險評估模型,使電化學穩定性成為EMI屏蔽材料選擇的新基準。

作為可製造性的SMT墊片設計:確保無縫整合到自動化生產線強調放置和壓縮的精確性,請記住這一點:真正的可靠性意味著能夠經受水、電壓和金屬的電化學三角考驗——這是精密電子產品的終極考驗。

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